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电光晶体 bbo ktp 电光效应是由于施加直流或低频电场而导致的折射率变化。 施加到各向异性电光材料上的场可以改变其折射率，从而改变其对偏振光的影响。 折射率对所施加电场的依赖性有两种形式：线性电光效应和二次电光。 电子光学仪器 可用于生产可控光学设备，例如q开关应用。 如果线偏振光穿过eo晶体，则对于kd * p，an将引起a = r =2πonl的相位延迟（t），其中l是晶体长度，例如an = 0.5∩30f6se/ n， r = fx3e / n的πln3。 显然，光的相位将随电场（e）一起变化。 这称为电光相位调制。 如果将两个交叉的偏振器分别放置在e-o晶体的输入和输出端，如（振幅调制器）所示，则光的输出强度将为|。 =i。sin2（g / 2），其中l。是输入强度。 这意味着光的强度或幅度也可以通过电场进行调制。 这称为幅度调制。 e-o调制有两种。 如果电场和光的传播方向相同，则为纵向e-o调制（如纵向调制所示）。 该方案中通常使用kdp同晶晶体。 如果电场和光的传播方向是垂直的，则称为横向e-o调制（请参阅“横向调制”）。 在该方案中通常使用linbo3，mgo：linbo3，zno：linbo3，bbo和ktp晶体。 半波电压（v）定义为使t =π的电压，例如v = 2 /（2nre3）对于linbo3，kd * p和v =λd/（2nr22l），其中λ是光波长，d是光波长之间的距离电极。
